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什么是半導(dǎo)體曝光設(shè)備及應(yīng)用

更新時(shí)間:2024-11-14      瀏覽次數(shù):344

半導(dǎo)體曝光設(shè)備是半導(dǎo)體制造過程中用于在硅片上繪制電路圖案的設(shè)備。強(qiáng)大的紫外光透過光掩模,作為電路圖案的原型,電路圖案被轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的硅晶片上。近年來,一些設(shè)備使用波長(zhǎng)為 13 nm 的激光(稱為 EUV)來微型化精細(xì)電路圖案。由于定位等要求高的精度,因此設(shè)備價(jià)格昂貴。

半導(dǎo)體曝光設(shè)備的應(yīng)用

半導(dǎo)體曝光設(shè)備用于包含MOS(金屬氧化物半導(dǎo)體)和FET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)等半導(dǎo)體元件的IC(集成電路)制造過程中的曝光工序。

在IC制造過程中,在硅晶片上依次重復(fù)光刻和蝕刻循環(huán),并且在將氧化硅、金屬等層層壓并加工成預(yù)定圖案的過程中,半導(dǎo)體元件所需的特性被加工為執(zhí)行得如此,它已經(jīng) .例如,在n型MOS(NMOS)的情況下,在p型硅基板的柵極區(qū)域上形成氧化硅膜和柵極金屬,并且將高濃度的雜質(zhì)離子注入到漏極和源極中。這形成了n型(n+型)MOS。這一系列工序中的光刻工序和蝕刻工序如圖所示地構(gòu)成(成膜工序S1~抗蝕劑剝離工序S6)。


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